compound semiconductor

compound semiconductor
sudėtinis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. compound semiconductor vok. Verbindhalbleiter, m; Verbindungshalbleiter, m; zusammengesetzter Halbleiter, m rus. сложный полупроводник, m pranc. semi-conducteur composé, m

Automatikos terminų žodynas. – Vilnius: Technika. . 2004.

Нужно сделать НИР?

Look at other dictionaries:

  • Compound semiconductor — A compound semiconductor is a semiconductor compound composed of elements from two or more different groups of the periodic table [1]. These semiconductors typically form in groups 13 16 (old groups III VI), for example of elements from group 13… …   Wikipedia

  • compound semiconductor — sudėtinis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. compound semiconductor vok. Verbindhalbleiter, m; Verbindungshalbleiter, m; zusammengesetzter Halbleiter, m rus. сложный полупроводник, m pranc. semi conducteur composé, m …   Fizikos terminų žodynas

  • compound-semiconductor interface — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • compound-semiconductor device — sudėtinio puslaidininkio įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor device vok. Verbindungshalbleiterbaustein, m rus. прибор на основе полупроводникового соединения, m pranc. dispositif à la base de semi… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • compound-semiconductor body — sudėtinio puslaidininkio padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor body vok. Verbindungshalbleitersubstrat, n rus. подложка из полупроводникового соединения, f pranc. substrat en semi conducteur composé …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • AlIIIBlV compound semiconductor — Al{III}Bl{V} puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Al{III}Bl{V} compound semiconductor vok. Al{III}Bl{V} Halbleiter, m rus. полупроводник типа Al{III}Bl{V}, m pranc. semi conducteur type Al{III}Bl{V}, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • group AlIIIBlV compound semiconductor material — puslaidininkinis Al{III}Bl{V} junginys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. group Al{III}Bl{V} compound semiconductor material vok. Al{III}Bl{V} Verbindung, f rus. полупроводниковое соединение типа Al{III}Bl{V}, n pranc. composé… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • AlIIBlVI compound semiconductor — Al{II}Bl{VI} puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Al{II}Bl{VI} compound semiconductor vok. Al{II}Bl{VI} Halbleiter, m; Al{II}Bl{VI} Verbindung, f rus. полупроводниковое соединение типа Al{II}Bl{VI}, n pranc. semi… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Semiconductor device — Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most …   Wikipedia

  • Semiconductor device fabrication — Semiconductor manufacturing processes 10 µm 1971 3 µm 1975 1.5 µm 1982 …   Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”